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特點
新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和無與倫比的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設(shè)計的Super E x B能量過濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000
 設(shè)備中心分類聯(lián)系方式
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超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000
詳細信息
專門為電子束敏感樣品和需最大300萬倍穩(wěn)定觀察的先進半導(dǎo)體器件，高分辨成像所設(shè)計。
特點
新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和無與倫比的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設(shè)計的Super E x B能量過濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。 共0條 相關(guān)評論 |