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特點(diǎn)
新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和無(wú)與倫比的電子束穩(wěn)定性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過(guò)濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。